ISO 17560:2014
p
ISO 17560:2014
65114
недоступно на русском языке

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.


Общая информация 

  •  :  Published
     : 2014-09
  •  : 2
  •  : ISO/TC 201/SC 6 Secondary ion mass spectrometry
  •  :
    71.040.40 Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

ru
Формат Язык
std 1 58 PDF + ePub
std 2 58 Бумажный
  • CHF58

Жизненный цикл


Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.