недоступно на русском языке

Тезис

 Preview

This document specifies several methods for measuring the oxide thickness at the surfaces of (100) and (111) silicon wafers as an equivalent thickness of silicon dioxide when measured using X-ray photoelectron spectroscopy. It is only applicable to flat, polished samples and for instruments that incorporate an Al or Mg X-ray source, a sample stage that permits defined photoelectron emission angles and a spectrometer with an input lens that can be restricted to less than a 6° cone semi-angle. For thermal oxides in the range 1 nm to 8 nm thickness, using the best method described in this document, uncertainties, at a 95 % confidence level, could typically be around 2 % and around 1 % at optimum. A simpler method is also given with slightly poorer, but often adequate, uncertainties.


Общая информация 

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2018-11
  • Версия
     : 2
  • Технический комитет
     : ISO/TC 201/SC 7 Electron spectroscopies
  • ICS
     :
    71.040.40 Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF92

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 201/SC 7
  6. ISO 14701:2018