недоступно на русском языке

Тезис Предпросмотр

This document specifies the structure model with related parameters, file format and fitting procedure for characterizing critical dimension (CD) values for wafer and photomask by imaging with a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) by the model-based library (MBL) method. The method is applicable to linewidth determination for specimen, such as, gate on wafer, photomask, single isolated or dense line feature pattern down to size of 10 nm.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2019-12
  • Версия : 1
  • :
    ISO/TC 202/SC 4
    Scanning electron microscopy (SEM)
  • 37.020
    Optical equipment

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF158

Жизненный цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

  • Сейчас
    ISO 21466:2019

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.