Le dernier examen de cette norme date de 2016. Cette édition reste donc d’actualité.
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ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
Informations générales
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État actuel : PubliéeDate de publication : 2010-11
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Edition : 1
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- ICS :
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Méthodes d'analyse chimique
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PubliéeISO 12406:2010
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Stade: 90.20 (En cours d'examen)
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